AUIRLU3110Z.

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制造商
International Rectifier
功能描述
N CH MOSFET AUTOMOTIVE 100V 42A TO-2
制造商
International Rectifier
功能描述
N CH MOSFET, AUTOMOTIVE, 100V, 42A, TO-251AA

AUIRLU3110Z. 技术参数

AUIRLU3110Z 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:48nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3980pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 38A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:I-Pak 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 基本零件编号:* 标准包装:75 AUIRLU2905 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:48nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1700pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 AUIRLU024Z 功能描述:MOSFET N CH 55V 16A SOT 223 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:58 毫欧 @ 9.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 AUIRLSL3036 功能描述:MOSFET N-CH 60V 270A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:195A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 165A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11210pF @ 50V 功率 - 最大值:380W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:50 AUIRLS8409-7TRL 功能描述:MOSFET NCH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:* 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:240A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:0.75 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:266nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:16488pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:800 AUIRS2004S AUIRS2012STR AUIRS20161S AUIRS20162STR AUIRS20302S AUIRS20302STR AUIRS2092S AUIRS2092STR AUIRS2110S AUIRS2112S AUIRS2113S AUIRS2113STR AUIRS2117S AUIRS2117STR AUIRS2118S AUIRS2118STR AUIRS2123S AUIRS2123STR