AUIRF3808STRL

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说明
操作

AUIRF3808STRL
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
IRC
D2PAK
15+
-
原装正品，价格优势！

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功能描述
MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

AUIRF3808STRL 技术参数

AUIRF3808S 功能描述:MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:106A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 82A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5310pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRF3805S-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 160A HEXFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 140A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:200nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7820pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片），TO-263CB 供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:800 AUIRF3805S-7P 功能描述:MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 140A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:200nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7820pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片），TO-263CB 供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:50 AUIRF3805S 功能描述:MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:290nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7960pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRF3805L-7P 功能描述:MOSFET N-CH 55V 160A TO262-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:200nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7820pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 140A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-262 封装/外壳:TO-262-7 标准包装:50 AUIRF540ZS AUIRF540ZSTRL AUIRF6215 AUIRF6215S AUIRF6215STRL AUIRF6218S AUIRF6218STRL AUIRF7103Q AUIRF7103QTR AUIRF7207Q AUIRF7207QTR AUIRF7303Q AUIRF7303QTR AUIRF7304Q AUIRF7304QTR AUIRF7309Q AUIRF7309QTR AUIRF7313Q