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APTGT30H170T3

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APTGT30H170T3
    APTGT30H170T3

    APTGT30H170T3

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • APT

  • 原厂封装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • APTGT30H170T3G
    APTGT30H170T3G

    APTGT30H170T3G

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83286481

    地址:坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP3

  • 23+

  • -
  • 微芯专营优势产品

  • APTGT30H170T3
    APTGT30H170T3

    APTGT30H170T3

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • E73X42-30L

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • APTGT30H170T3G
    APTGT30H170T3G

    APTGT30H170T3G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • APTGT30H170T3G
    APTGT30H170T3G

    APTGT30H170T3G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 17+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • APTGT30H170T3
    APTGT30H170T3

    APTGT30H170T3

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-88608801多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • APT

  • 价格优势

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • 1/1页 40条/页 共14条 
  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全称
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Full - Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT30H170T3 技术参数
  • APTGT30DSK60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual Buck Chopper 600V 50A 90W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:双路降压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT30DDA60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual Boost Chopper 600V 50A 90W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT30DA170T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 45A 210W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:210W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):2.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT30DA170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 45A 210W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:210W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):2.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT30A60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 50A 90W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT35A120T1G APTGT35DA120D1G APTGT35H120T1G APTGT35H120T3G APTGT35SK120D1G APTGT35X120T3G APTGT400A120D3G APTGT400A120G APTGT400A60D3G APTGT400DA120D3G APTGT400DA120G APTGT400DA60D3G APTGT400DU120G APTGT400SK120D3G APTGT400SK120G APTGT400SK60D3G APTGT400TL65G APTGT400U120D4G
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