1T32C-M20-T8_代理商_批发/采购【买卖IC网】1T32C-M20-T8

配单专家企业名单

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说明
操作

1T32C-M20-T8A
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
MITSUBI
SOD523
22+
-
全新原装现货供应

1T32C-M20-T8
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
SONY
SOD-1231206
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！！

1T32C-M20-T8A
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
3000
SONY
SOD-123
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

1T32C-M20-T8
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
SONY
1206
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

1T32C-M20-T8A/1SV196
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
14750
三凌
603
2015+
-
全新原装现货

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1T32C-M20-T8 技术参数

1T2G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1T2G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1T2G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1T1G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1T1G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1T6G A0G 1T6G A1G 1T6G R0G 1T7G A0G 1T7G A1G 1T7G R0G 1TS03 1TS08 1TS09 1TS16 1TW 1U00 1U03 1U08 1U09 1U16 1UHD844124FTC 1UHD904118FTC