1N3012BJAN

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1N3012BJANTX
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
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1N3012BJAN 技术参数

1N3012B 功能描述:DIODE ZENER 160V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:160V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 121.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N3012A 功能描述:DIODE ZENER 160V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:160V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 121.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N3011RB 功能描述:DIODE ZENER 150V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:150V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:175 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 114V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N3011B 功能描述:DIODE ZENER 150V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:150V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:175 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 114V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N3011A 功能描述:DIODE ZENER 150V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:150V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:175 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 114V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N3016B-1 1N3016BUR-1 1N3017B-1 1N3017BUR-1 1N3018B-1 1N3018BUR-1 1N3019B-1 1N3019BUR-1 1N3020B-1 1N3020BUR-1 1N3021B-1 1N3021BUR-1 1N3022B-1 1N3022BUR-1 1N3023B-1 1N3023BUR-1 1N3024B-1 1N3024BUR-1