IRF9640S全国供应商【买卖IC网】IRF9640S资料|PDF Datasheet|价格 Vishay

配单专家企业名单

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批号
价格
说明
操作

IRF9640SPBF
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
1950
SILICONIXVISHAY
NA
-
可订货，请确认

IRF9640STRLPBF
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
VISHAY/威世
TO-263-3
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

IRF9640SPBF
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3819
VISHAY/威世
TO-263
2227+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

IRF9640S
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4102
VISHAY
TO263
2223+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

IRF9640STRLPBF
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
4000
VISHAY
TO-263-3 (D2PAK)
21+
-
只做原装，型号齐全，价格优惠。

IRF9640S
北京力通科信电子有限公司
北京力通科信电子有限公司
联系人：韩小姐
电话：13661385246
地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台
215
IR
TO-263
04+
-
原装现货13661385246

IRF9640STRLPBF
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
25000
VIS
ORIGONAL
16+
-
0.45902 USD,szpoweri...

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功能描述
MOSFET P-Chan 200V 11 Amp
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

IRF9640S 技术参数

IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:850 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF820 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:315pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF740 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF730 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF9952 IRF9952PBF IRF9952QTRPBF IRF9952TR IRF9952TRPBF IRF9953 IRF9953PBF IRF9953TR IRF9953TRPBF IRF9956 IRF9956PBF IRF9956TR IRF9956TRPBF IRF9Z10 IRF9Z10PBF IRF9Z14 IRF9Z14L IRF9Z14LPBF