ECJ2FF1E474Z

配单专家企业名单

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说明
操作

ECJ2FF1E474Z
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
PANASONIC
原厂封装！
06+
-
全新原装100%正品保证质量

ECJ2FF1E474Z
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
5959000
PANASONIC/松下
SMD
2015+ROHS
-
自家原装现货优势价格出售长期供应

ECJ2FF1E474Z
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3167
PANASONIC
SMD
2231+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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制造商
PANASONIC
制造商全称
Panasonic Semiconductor
功能描述
Multilayer Ceramic Capacitors(For General Usage)

ECJ2FF1E474Z 技术参数

ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件状态:有效类型:绝缘体形状:圆形使用:电容器，电解材料:聚酯颜色:透明特性:- 长度:- 宽度:- 高度:0.005"（0.13mm）直径 - 外部:0.831"（21.10mm）直径 - 内部:- 标准包装:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:24V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:38 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:24V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:260 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECJ-2VB1C683K ECJ-2VB1C823K ECJ-2VB1E104K ECJ-2VB1E393K ECJ-2VB1E473K ECJ-2VB1E563K ECJ-2VB1E683K ECJ-2VB1E823K ECJ-2VB1H102K ECJ-2VB1H103K ECJ-2VB1H122K ECJ-2VB1H123K ECJ-2VB1H152K ECJ-2VB1H153K ECJ-2VB1H182K ECJ-2VB1H183K ECJ-2VB1H222K ECJ-2VB1H223K