品牌:国产 | 型号:20NF/50V | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:滤波 | 外形:圆片形 | 功率特性:大功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±10（%） | 耐压值:50（V） | 等效串联电阻(ESR):-（mΩ） | 损耗:- | 额定电压:50（V） | 绝缘电阻:-（mΩ） | 温度系数:-

品牌:正品 | 型号:DEBB33A102KN2A，DEHR33A102KN2A | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:耦合 | 外形:其他 | 功率特性:中功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:轴向引出线 | 允许偏差:±5（%）

品牌:FUJI/富士通 | 型号:2SK3886-01 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:C-MIC/电容话筒专用 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 最大漏极电流:5 | 低频噪声系数:5 | 极间电容:5

品牌:ST/意法 | 型号:STPS3045CT | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:C-MIC/电容话筒专用 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:100 | 跨导:10 | 开启电压:10 | 夹断电压:100 | 低频噪声系数:11 | 极间电容:1100 | 最大耗散功率:100

型号:10UF/100V | 介质材料:复合介质 | 应用范围:低频 | 外形:圆片形 | 调节方式:固定 | 引线类型:径向引出线 | 类别:直插 | 发货期限:1

品牌:FREESCALE/飞思卡尔 | 型号:FQP13N50C | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:C-MIC/电容话筒专用 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 类型:通信IC | 批号:13+ | 封装:TO-220

品牌:ST/意法 | 型号:BTA06-600BWRG | 控制方式:其他 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 最大漏极电流:100 | 跨导:10 | 开启电压:11 | 材料:N-FET硅N沟道 | 用途:C-MIC/电容话筒专用 | 沟道类型:N沟道 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 夹断电压:100 | 导电方式:增强型 | 低频噪声系数:11 | 极间电容:1100 | 最大耗散功率:100

品牌:国产/进口 | 型号:全系列 | 介质材料:复合介质 | 应用范围:低压 | 外形:长方形 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 类别:直插 | 发货期限:1

品牌:JP | 型号:全系列 | 介质材料:独石 | 应用范围:旁路 | 外形:珠状 | 调节方式:固定 | 引线类型:径向引出线 | 类别:直插 | 发货期限:3

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:HUFA75309D3S | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 | 导电方式:增强型 | 用途:C-MIC/电容话筒专用 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS铝镓砷

品牌:Mitsubishi/三菱 | 型号:BCR12AM-10 | 控制方式:其他 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 最大漏极电流:1 | 用途:C-MIC/电容话筒专用 | 材料:N-FET硅N沟道 | 沟道类型:N沟道 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 导电方式:增强型 | 低频噪声系数:1 | 极间电容:1

型号:全系列 | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:低频 | 外形:长方形 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±20％（%） | 类别:直插

品牌:FH/风华 | 型号:4.7nF (472) ±20% 3KV 袋装 环保 | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:高压 | 外形:方块状 | 功率特性:大功率 | 频率特性:超高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±0.005（%） | 耐压值:3000（V） | 等效串联电阻(ESR):标准（mΩ） | 损耗:标准 | 额定电压:标准（V） | 绝缘电阻:标准（mΩ） | 温度系数:标准 | 标称容量:标准

品牌:FH/风华 | 型号:10nF (103) ±20% 1KV 袋装 | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:高压 | 外形:方块状 | 功率特性:大功率 | 频率特性:超高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±0.005（%） | 耐压值:3000（V） | 等效串联电阻(ESR):标准（mΩ） | 损耗:标准 | 额定电压:标准（V） | 绝缘电阻:标准（mΩ） | 温度系数:标准 | 标称容量:标准

品牌:FH/风华 | 型号:1nF (102) ±20% 1KV 袋装 | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:高压 | 外形:方块状 | 功率特性:大功率 | 频率特性:超高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±0.005（%） | 耐压值:3000（V） | 等效串联电阻(ESR):标准（mΩ） | 损耗:标准 | 额定电压:标准（V） | 绝缘电阻:标准（mΩ） | 温度系数:标准 | 标称容量:标准

品牌:FH/风华 | 型号:1nF (102) ±10% 2KV 袋装 环保 | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:高压 | 外形:方块状 | 功率特性:大功率 | 频率特性:超高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±0.005（%） | 耐压值:3000（V） | 等效串联电阻(ESR):标准（mΩ） | 损耗:标准 | 额定电压:标准（V） | 绝缘电阻:标准（mΩ） | 温度系数:标准 | 标称容量:标准

品牌:FH/风华 | 型号:10nF (103) ±20% 2KV 袋装 环保 | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:高压 | 外形:方块状 | 功率特性:大功率 | 频率特性:超高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±0.005（%） | 耐压值:3000（V） | 等效串联电阻(ESR):标准（mΩ） | 损耗:标准 | 额定电压:标准（V） | 绝缘电阻:标准（mΩ） | 温度系数:标准 | 标称容量:标准

品牌:FH/风华 | 型号:470pF (471) ±10% 1KV 袋装 环保 | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:高压 | 外形:方块状 | 功率特性:大功率 | 频率特性:超高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±0.005（%） | 耐压值:3000（V） | 等效串联电阻(ESR):标准（mΩ） | 损耗:标准 | 额定电压:标准（V） | 绝缘电阻:标准（mΩ） | 温度系数:标准 | 标称容量:标准

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQA40N25 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:C-MIC/电容话筒专用 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 250V 电压:40A 电流

品牌:ON/安森美 | 型号:IRF3205 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化镓