CSD87313DMST

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说明
操作

CSD87313DMST
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
300
TI/德州仪器
QFN
23+
-
只做原装现货/实单可谈

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功能描述
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
28nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4290pF @ 15V
功率 - 最大值
2.7W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-WSON（3.3x3.3）
标准包装
1

CSD87313DMST 技术参数

CSD87312Q3E 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2?N 沟道（双）共源 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 7A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1250pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD86360Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2060pF @ 12.5 功率 - 最大值:13W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（5x6）标准包装:1 CSD86350Q5DEVM-604 功能描述:CSD86350Q NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件状态:有效主要用途:DC/DC，步降输出和类型:1，非隔离功率 - 输出:- 电压 - 输出:1.2V 电流 - 输出:25A 电压 - 输入:8 V ~ 13 V 稳压器拓扑:降压频率 - 开关:290kHz 板类型:完全填充所含物品:板使用的 IC/零件:CSD86350Q 标准包装:1 CSD86350Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 20A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1870pF @ 12.5V 功率 - 最大值:13W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（5x6）标准包装:1 CSD86330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.6 毫欧 @ 14A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:920pF @ 12.5V 功率 - 最大值:6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（5x6）标准包装:1 CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET