静态随机存取存储器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器
RoHS
否
制造商
Cypress Semiconductor
存储容量
16 Mbit
组织
1 M x 16
访问时间
55 ns
电源电压-最大
3.6 V
电源电压-最小
2.2 V
最大工作电流
22 uA
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-48
封装
Tray
AS6C1008-55TIN 技术参数
AS6C1008-55STINTR功能描述:静态随机存取存储器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:TrayAS6C1008-55STINLTR功能描述:静态随机存取存储器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:TrayAS6C1008-55STINL功能描述:静态随机存取存储器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:TrayAS6C1008-55STIN功能描述:静态随机存取存储器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:TrayAS6C1008-55SINTR功能描述:静态随机存取存储器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:TrayAS6C1608-55TINAS6C1608-55TINTRAS6C1616-55BINAS6C1616-55BINTRAS6C1616-55TINAS6C1616-55TINTRAS6C1616-70BINAS6C1616-70BINTRAS6C1616A-55BINAS6C1616A-55BINTRAS6C2008-55BINAS6C2008-55BINTRAS6C2008-55SINAS6C2008-55SINTRAS6C2008-55STINAS6C2008-55STINTRAS6C2008-55TINAS6C2008-55TINTR
