AFT05MS031NR1

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功能描述
射频MOSFET电源晶体管 MV9 UHF 13.6V
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶体管极性
频率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
输出功率
100 W
汲极/源极击穿电压
漏极连续电流
闸/源击穿电压
最大工作温度
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Tray

AFT05MS031NR1 技术参数

AFT05MS031GNR1 功能描述:RF Mosfet LDMOS 13.6V 10mA 520MHz 17.7dB 31W TO-270-2 GULL 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:520MHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:31W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:TO-270-2 鸥翼型供应商器件封装:TO-270-2 鸥翼型标准包装:500 AFT05MS006NT1 功能描述:RF Mosfet LDMOS 7.5V 100mA 520MHz 18.3dB 6W PLD-1.5W-2 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:520MHz 增益:18.3dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:6W 电压 - 额定:30V 封装/外壳:PLD-1.5W-2 供应商器件封装:PLD-1.5W-2 标准包装:1 AFT05MS004NT1 功能描述:RF Mosfet LDMOS 7.5V 100mA 520MHz 20.9dB 4.9W SOT-89-3 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:520MHz 增益:20.9dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:4.9W 电压 - 额定:30V 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 AFT05MS003NT1 功能描述:RF Mosfet LDMOS 7.5V 100mA 520MHz 20.8dB 3W SOT-89-3 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:520MHz 增益:20.8dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:3W 电压 - 额定:30V 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 AFT05MP075NR1 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 12.5V 400mA 520MHz 18.5dB 70W TO-270 WB-4 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双）频率:520MHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:70W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:TO-270AB 供应商器件封装:TO-270 WB-4 标准包装:1 AFT09S200W02NR3 AFT09S200W02SR3 AFT09S220-02NR3 AFT09S282NR3 AFT18H356-24SR6 AFT18H357-24NR6 AFT18H357-24SR6 AFT18HW355SR5 AFT18HW355SR6 AFT18P350-4S2LR6 AFT18S230-12NR3 AFT18S230SR3 AFT18S230SR5 AFT18S260W31GSR3 AFT18S260W31SR3 AFT18S290-13SR3 AFT20P060-4GNR3 AFT20P060-4NR3