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AON7536 MOS(场效应管)

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AON7536 MOS(场效应管) 技术参数
  • AON7536 功能描述:MOSFET N-CH 30V 68A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Ta),68A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2350pF @ 15V 功率 - 最大值:4.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3) 标准包装:1 AON7534 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta),30A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1037pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:1 AON7532E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 28A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30.5A(Ta),28A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1950pF @ 15V 功率 - 最大值:5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(2.9x2.3) 标准包装:1 AON7528 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):45A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2895pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:1 AON7526 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期 标准包装:1 AON7702 AON7702A_101 AON7702B AON7752 AON7754 AON7758 AON7758_001 AON7760 AON7764 AON7784 AON7788 AON7804 AON7804_102 AON7810 AON7812 AON7820 AON7826 AON7900
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